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2SK4101LS中文资料

2SK4101LS图片

2SK4101LS外观图

  • 大小:56.53KB
  • 厂家:SANYO [Sanyo Semicon Device]
  • 描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
  • 典型关断延迟时间:89 ns
  • 典型接通延迟时间:21 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:28.5 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:750 pF V @ 30
  • 安装类型:通孔
  • 宽度:4.5mm
  • 封装类型:TO-220FI
  • 尺寸:10 x 4.5 x 8.8mm
  • 引脚数目:3
  • 最大功率耗散:2000 mW
  • 最大栅源电压:±30 V
  • 最大漏源电压:650 V
  • 最大漏源电阻值:1.1
  • 最大连续漏极电流:7 A
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:单
  • 长度:10mm
  • 高度:8.8mm

2SK4101LS供应商

更新时间:2023-01-30 13:25:32
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